University of Colorado Boulder
High Voltage Schottky and p-n Diodes

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University of Colorado Boulder

High Voltage Schottky and p-n Diodes

Bei Coursera Plus enthalten

Verschaffen Sie sich einen Einblick in ein Thema und lernen Sie die Grundlagen.
Stufe Mittel

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Es dauert 19 Stunden
3 Wochen bei 6 Stunden pro Woche
Flexibler Zeitplan
In Ihrem eigenen Lerntempo lernen
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Was Sie lernen werden

  • ·      Gain a detailed understanding of Schottky and p-n diodes.

    ·      Calculate key diode parameters based on their physical structure.

Kompetenzen, die Sie erwerben

  • Kategorie: Construction of SPICE models of Schottky and p-n diode
  • Kategorie: Idenification of diode losses
  • Kategorie: Electrostatic analysis of Schottky and p-n diode

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In diesem Kurs gibt es 4 Module

In this module, you will learn about semiconductors: the material used to make power semiconductor devices. Specifically you will learn: a) types of semiconductors that are of interest and their crystal structure, b) band structure of relevant semiconductors, c) How to calculate the majority and minority carrier density in a semiconductor, d) How to deal with electron and hole drift and diffusion, and e) How to deal with carrier generation and recombination. This module closes with the drift-diffusion model, the cornerstone of any semiconductor device analysis.

Das ist alles enthalten

6 Videos15 Lektüren6 Quizzes

In this module, you will learn about the simplest semiconductor device, a Schottky diode, which consists of a metal-semiconductor junction. You will apply the drift-diffusion model, solving Gauss' law leading to the depletion layer width, the maximum electric field and capacitance versus voltage relation. Next is the derivation of the Schottky diode current. The analysis of diode breakdown at high voltage is included as well, as is the construction of a SPICE model including parasitic elements.

Das ist alles enthalten

5 Videos14 Lektüren5 Quizzes

In this module, you will learn how to analyze a p-n diode and how it differs from a Schottky diode. Specific items of interest are: a) The capacitance versus voltage relation, b) The diode current, including minority carrier injection under forward bias, c) The minority carrier charge and its effect on switching losses, and d) The construction of a p-n diode SPICE model including parasitic circuit elements.

Das ist alles enthalten

5 Videos14 Lektüren5 Quizzes

In this module, you will learn about the trade-off between diode losses and breakdown voltage including: a) The diode resistance and its relation to the breakdown voltage, b) The switching losses and relation to diode capacitance and minority charge storage, and c) A detailed comparison of SiC Schottky and silicon p-n diodes.

Das ist alles enthalten

3 Videos7 Lektüren3 Quizzes

Dozent

Bart Van Zeghbroeck
University of Colorado Boulder
2 Kurse2.748 Lernende

von

Empfohlen, wenn Sie sich für Electrical Engineering interessieren

Auf einen Abschluss hinarbeiten

Dieses Kurs ist Teil des/der folgenden Studiengangs/Studiengänge, die von University of Colorado Boulderangeboten werden. Wenn Sie zugelassen werden und sich immatrikulieren, können Ihre abgeschlossenen Kurse auf Ihren Studienabschluss angerechnet werden und Ihre Fortschritte können mit Ihnen übertragen werden.¹

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Felipe M.
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Jennifer J.
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Larry W.
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Chaitanya A.
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Häufig gestellte Fragen