University of Colorado Boulder
Transistor - Feldeffekttransistor und Bipolarer Sperrschichttransistor
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Transistor - Feldeffekttransistor und Bipolarer Sperrschichttransistor

Dieser Kurs ist Teil von Spezialisierung Halbleitergeräte

12.295 bereits angemeldet

Enthalten inCoursera Plus

Verschaffen Sie sich einen Einblick in ein Thema und lernen Sie die Grundlagen.
4.2

(83 Bewertungen)

Stufe Fortgeschritten
Für Personen mit Branchenerfahrung konzipiert
Flexibler Zeitplan
Ca. 12 Stunden
In Ihrem eigenen Lerntempo lernen
Auf einen Abschluss hinarbeiten
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Für Personen mit Branchenerfahrung konzipiert
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Was Sie lernen werden

  • Beschreiben und analysieren Sie Metall-Oxid-Halbleiter (MOS)-Bauelemente

  • Beschreiben und analysieren Sie MOS-Feldeffekttransistoren (MOSFET)

  • Beschreiben und analysieren Sie den Bipolar Junction Transistor (BJT)

Wichtige Details

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Bewertungen

3 Quizzes

Unterrichtet in Englisch

Erfahren Sie, wie Mitarbeiter führender Unternehmen gefragte Kompetenzen erwerben.

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Erweitern Sie Ihre Fachkenntnisse

Dieser Kurs ist Teil der Spezialisierung Spezialisierung Halbleitergeräte
Wenn Sie sich für diesen Kurs anmelden, werden Sie auch für diese Spezialisierung angemeldet.
  • Lernen Sie neue Konzepte von Branchenexperten
  • Gewinnen Sie ein Grundverständnis bestimmter Themen oder Tools
  • Erwerben Sie berufsrelevante Kompetenzen durch praktische Projekte
  • Erwerben Sie ein Berufszertifikat zur Vorlage
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In diesem Kurs gibt es 3 Module

In diesem Modul über MOS-Bauelemente werden wir die folgenden Themen behandeln: MOS-Bauelementstruktur, Energiebanddiagramm für MOS-Bauelemente im Gleichgewicht, flache Bandbedingung, Akkumulation, Verarmung und Inversion von MOS unter Vorspannung, Energiebanddiagramm und Ladungsverteilung für MOS in Inversion, quantitatives Modell und relevante Parameter, Energiebanddiagramm mit Kanalvorspannung, Ladung der Inversionsschicht und Auswirkung auf die Schwellenspannung von MOS im Nicht-Gleichgewicht, C-V-Kennlinien: Ladungsverteilung unter verschiedenen Vorspannungsbedingungen, C-V-Kennlinien: Frequenzabhängigkeit, Auswirkungen der Oxidladung auf Flachband- und Schwellenspannungen in nicht-idealen MOS, und Arten von Oxidladung in nicht-idealen MOS.

Das ist alles enthalten

8 Videos4 Lektüren1 Quiz1 Diskussionsthema

In diesem Modul über MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren) behandeln wir die folgenden Themen: Entwicklungsgeschichte der MOSFETs, Bauelementestruktur, Bauelementetypen, Schaltungssymbole, Theorie des langen Kanals, I-U-Charakteristiken, Betriebsmodi, Modulation der Kanallänge, Body-Bias-Effekt, Bulk-Ladungseffekt, Leitung unterhalb der Schwelle, Source/Drain-Ladungsteilung in Bauelementen mit kurzem Kanal, Drain-induzierte Barrieresenkung, Durchschlag unter der Oberfläche, Mobilitätsverschlechterung, Geschwindigkeitssättigung, Drainstromsättigung, Skalierung des Drainstroms mit der Kanallänge und Skalierung der Geschwindigkeit mit der Kanallänge.

Das ist alles enthalten

7 Videos3 Lektüren1 Quiz

In diesem Modul über BJTs (Bipolar Junction Transistors) werden wir die folgenden Themen behandeln: BJT-Gerätestrukturen, Energiebanddiagramme, aktive Vorspannung, Leckstrom, Rekombination in der Basis, Hoe-Injektion, ungleichmäßige Dotierung in der Basis, Stromverstärkung, Schalten mit BJT, Bipolartransistor mit einfachem Heteroübergang, Bipolartransistor mit doppeltem Heteroübergang, ungleichmäßiges Material, Early-Effekt, Abhängigkeit von der Emittervorspannung, High-Level-Injektion, Laufzeiten von Basis, Emitter und Kollektor und RC-Zeitkonstante.

Das ist alles enthalten

6 Videos3 Lektüren1 Quiz1 peer review

Dozent

Lehrkraftbewertungen
4.5 (10 Bewertungen)
Wounjhang Park
University of Colorado Boulder
6 Kurse51.313 Lernende

von

Empfohlen, wenn Sie sich für Elektroingenieurwesen interessieren

Auf einen Abschluss hinarbeiten

Dieses Kurs ist Teil des/der folgenden Studiengangs/Studiengänge, die von University of Colorado Boulderangeboten werden. Wenn Sie zugelassen werden und sich immatrikulieren, können Ihre abgeschlossenen Kurse auf Ihren Studienabschluss angerechnet werden und Ihre Fortschritte können mit Ihnen übertragen werden.¹

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Felipe M.
Lernender seit 2018
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Häufig gestellte Fragen