Dieser Kurs kann auch als ECEA 5632 im Rahmen des Master of Science in Electrical Engineering an der CU Boulder belegt werden. In diesem Kurs werden Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) und bipolare Sperrschichttransistoren (BJTs) eingehend diskutiert und analysiert, einschließlich der Gleichgewichtscharakteristiken, der Betriebsarten, des Schaltverhaltens und der Stromverstärkung. Am Ende dieses Kurses werden die Teilnehmer in der Lage sein: 1. Metall-Oxid-Halbleiter (MOS)-Bauelemente zu verstehen und zu analysieren 2. MOS-Feldeffekttransistoren (MOSFET) zu verstehen und zu analysieren 3. Bipolare Sperrschichttransistoren (BJT) verstehen und analysieren
Transistor - Feldeffekttransistor und Bipolarer Sperrschichttransistor
Dieser Kurs ist Teil von Spezialisierung Halbleitergeräte
Dozent: Wounjhang Park
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Was Sie lernen werden
Beschreiben und analysieren Sie Metall-Oxid-Halbleiter (MOS)-Bauelemente
Beschreiben und analysieren Sie MOS-Feldeffekttransistoren (MOSFET)
Beschreiben und analysieren Sie den Bipolar Junction Transistor (BJT)
Wichtige Details
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3 Quizzes
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In diesem Kurs gibt es 3 Module
In diesem Modul über MOS-Bauelemente werden wir die folgenden Themen behandeln: MOS-Bauelementstruktur, Energiebanddiagramm für MOS-Bauelemente im Gleichgewicht, flache Bandbedingung, Akkumulation, Verarmung und Inversion von MOS unter Vorspannung, Energiebanddiagramm und Ladungsverteilung für MOS in Inversion, quantitatives Modell und relevante Parameter, Energiebanddiagramm mit Kanalvorspannung, Ladung der Inversionsschicht und Auswirkung auf die Schwellenspannung von MOS im Nicht-Gleichgewicht, C-V-Kennlinien: Ladungsverteilung unter verschiedenen Vorspannungsbedingungen, C-V-Kennlinien: Frequenzabhängigkeit, Auswirkungen der Oxidladung auf Flachband- und Schwellenspannungen in nicht-idealen MOS, und Arten von Oxidladung in nicht-idealen MOS.
Das ist alles enthalten
8 Videos4 Lektüren1 Quiz1 Diskussionsthema
In diesem Modul über MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren) behandeln wir die folgenden Themen: Entwicklungsgeschichte der MOSFETs, Bauelementestruktur, Bauelementetypen, Schaltungssymbole, Theorie des langen Kanals, I-U-Charakteristiken, Betriebsmodi, Modulation der Kanallänge, Body-Bias-Effekt, Bulk-Ladungseffekt, Leitung unterhalb der Schwelle, Source/Drain-Ladungsteilung in Bauelementen mit kurzem Kanal, Drain-induzierte Barrieresenkung, Durchschlag unter der Oberfläche, Mobilitätsverschlechterung, Geschwindigkeitssättigung, Drainstromsättigung, Skalierung des Drainstroms mit der Kanallänge und Skalierung der Geschwindigkeit mit der Kanallänge.
Das ist alles enthalten
7 Videos3 Lektüren1 Quiz
In diesem Modul über BJTs (Bipolar Junction Transistors) werden wir die folgenden Themen behandeln: BJT-Gerätestrukturen, Energiebanddiagramme, aktive Vorspannung, Leckstrom, Rekombination in der Basis, Hoe-Injektion, ungleichmäßige Dotierung in der Basis, Stromverstärkung, Schalten mit BJT, Bipolartransistor mit einfachem Heteroübergang, Bipolartransistor mit doppeltem Heteroübergang, ungleichmäßiges Material, Early-Effekt, Abhängigkeit von der Emittervorspannung, High-Level-Injektion, Laufzeiten von Basis, Emitter und Kollektor und RC-Zeitkonstante.
Das ist alles enthalten
6 Videos3 Lektüren1 Quiz1 peer review
Dozent
Empfohlen, wenn Sie sich für Elektroingenieurwesen interessieren
Pontificia Universidad Católica de Chile
University of Colorado Boulder
National Taiwan University
Exploratorium
Auf einen Abschluss hinarbeiten
Dieses Kurs ist Teil des/der folgenden Studiengangs/Studiengänge, die von University of Colorado Boulderangeboten werden. Wenn Sie zugelassen werden und sich immatrikulieren, können Ihre abgeschlossenen Kurse auf Ihren Studienabschluss angerechnet werden und Ihre Fortschritte können mit Ihnen übertragen werden.¹
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Häufig gestellte Fragen
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