Ce cours peut également être suivi pour l'obtention d'un crédit universitaire en tant que ECEA 5632, dans le cadre du Master of Science en génie électrique de CU Boulder. Ce cours présente une discussion et une analyse approfondies des transistors à effet de champ à métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) et des transistors à jonction bipolaire (BJT), y compris les caractéristiques d'équilibre, les modes de fonctionnement, les comportements de commutation et d'amplification du courant. A la fin de ce cours, les apprenants seront en mesure de : 1. Comprendre et analyser les dispositifs métal-oxyde-semiconducteur (MOS) 2. Comprendre et analyser le transistor à effet de champ MOS (MOSFET) 3. Comprendre et analyser le transistor à jonction bipolaire (BJT)
Transistor - Transistor à effet de champ et transistor à jonction bipolaire
Ce cours fait partie de Spécialisation Dispositifs à semi-conducteurs
Enseigné en Anglais
Certains éléments de contenu peuvent ne pas être traduits
Instructeur : Wounjhang Park
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Ce que vous apprendrez
Décrire et analyser un dispositif métal-oxyde-semiconducteur (MOS)
Décrire et analyser le transistor à effet de champ MOS (MOSFET)
Décrire et analyser le transistor à jonction bipolaire (BJT)
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Il y a 3 modules dans ce cours
Dans ce module sur les dispositifs MOS, nous aborderons les sujets suivants : structure des dispositifs MOS, diagramme de bande d'énergie pour un dispositif MOS à l'équilibre, condition de bande plate, accumulation, appauvrissement et inversion du MOS sous polarisation, diagramme de bande d'énergie et distribution de charge pour le MOS en inversion, modèle quantitatif et paramètres pertinents, diagramme de bande d'énergie avec polarisation du canal, charge de la couche d'inversion et effet sur la tension de seuil du MOS en non-équilibre, caractéristiques C-V. Distribution de charge sous différentes conditions de polarisation, caractéristiques C-V : distribution de charge sous différentes conditions de polarisation, caractéristiques C-V : distribution de charge sous différentes conditions de polarisation, caractéristiques C-V : distribution de charge sous différentes conditions de polarisation : Distribution de la charge dans différentes conditions de polarisation, caractéristiques C-V. Dépendance de la fréquence, effets de l'oxyde sur la tension de seuil : Dépendance de la fréquence, Effets de la charge d'oxyde sur la bande plate et les tensions de seuil dans les MOS non idéaux, et Types de charge d'oxyde dans les MOS non idéaux.
Inclus
8 vidéos4 lectures1 quiz1 sujet de discussion
Dans ce module sur les MOSFETs (transistors à effet de champ à semi-conducteur métal-oxyde), nous couvrons les sujets suivants : Histoire du développement des MOSFET, structure des dispositifs, types de dispositifs, symboles de circuits, théorie des canaux longs, caractéristiques I-V, modes de fonctionnement, modulation de la longueur du canal, effet de polarisation du corps, effet de charge de masse, conduction sous le seuil, partage de la charge source/drain dans les dispositifs à canal court, abaissement de la barrière induit par le drain, percée sous la surface, dégradation de la mobilité, saturation de la vitesse, saturation du courant de drain, mise à l'échelle du courant de drain avec la longueur du canal, et mise à l'échelle de la vitesse avec la longueur du canal.
Inclus
7 vidéos3 lectures1 quiz
Dans ce module sur les BJT (transistors à jonction bipolaire), nous aborderons les sujets suivants : Structures des dispositifs BJT, diagrammes de bandes d'énergie, polarisation active, courant de fuite, recombinaison dans la base, injection de chaleur, dopage non uniforme dans la base, gain de courant, commutation avec BJT, transistor bipolaire à hétérojonction simple, transistor bipolaire à hétérojonction double, matériau non uniforme, effet précoce, dépendance de la polarisation de l'émetteur, injection de haut niveau, temps de transit de la base, de l'émetteur et du collecteur, et constante de temps RC.
Inclus
6 vidéos3 lectures1 quiz1 évaluation par les pairs
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