Dans ce module sur les MOSFETs (transistors à effet de champ à semi-conducteur métal-oxyde), nous couvrons les sujets suivants : Histoire du développement des MOSFET, structure des dispositifs, types de dispositifs, symboles de circuits, théorie des canaux longs, caractéristiques I-V, modes de fonctionnement, modulation de la longueur du canal, effet de polarisation du corps, effet de charge de masse, conduction sous le seuil, partage de la charge source/drain dans les dispositifs à canal court, abaissement de la barrière induit par le drain, percée sous la surface, dégradation de la mobilité, saturation de la vitesse, saturation du courant de drain, mise à l'échelle du courant de drain avec la longueur du canal, et mise à l'échelle de la vitesse avec la longueur du canal.

Dans ce module sur les BJT (transistors à jonction bipolaire), nous aborderons les sujets suivants : Structures des dispositifs BJT, diagrammes de bandes d'énergie, polarisation active, courant de fuite, recombinaison dans la base, injection de chaleur, dopage non uniforme dans la base, gain de courant, commutation avec BJT, transistor bipolaire à hétérojonction simple, transistor bipolaire à hétérojonction double, matériau non uniforme, effet précoce, dépendance de la polarisation de l'émetteur, injection de haut niveau, temps de transit de la base, de l'émetteur et du collecteur, et constante de temps RC.