C'est le premier module dans lequel nous abordons le transistor complet ; une grande partie de ce matériel, ainsi que le matériel du prochain module, constituera le cœur de ce que nous aborderons dans le reste du cours. Nous espérons que vous passerez plus de temps à étudier afin de vous assurer que vous comprenez ce matériel en profondeur. La durée totale de visionnage de chacun de ces deux modules est plus courte, ce qui devrait vous aider.

Ce matériel conclut les cours sur le transistor à long canal en fonctionnement continu. Comme nous l'avons déjà mentionné, ces cours formeront le noyau sur lequel se baseront la plupart de nos discussions ultérieures.

Dans ce module, nous traitons des phénomènes qui se produisent lorsque les dimensions des transistors sont réduites ; il s'agit d'une connaissance importante à posséder lorsque l'on travaille avec des dispositifs modernes.

Dans ce module, nous terminerons par les effets de petite dimension, puis nous parlerons des modèles pour la simulation de circuits (les concepteurs de circuits parmi vous utilisent probablement déjà de tels modèles). Nous discuterons de ce qu'il faut faire pour créer un bon modèle de simulation de circuit (entre autres choses : beaucoup de prudence et de soin, et environ 20 000 lignes de code !), et de la manière dont vous pouvez repérer les problèmes éventuels avec de tels modèles. Bien que les modèles de simulation de circuits incluent des fonctionnalités que nous n'avons pas encore abordées, telles que la modélisation de la charge, nous pensons que vous en savez assez sur les modèles à ce stade pour être en mesure de suivre cette discussion générale (qui est hors séquence - elle provient du chapitre 10 du livre, où vous trouverez beaucoup plus d'informations sur le sujet).

Dans ce module, nous nous démarquons nettement de ce que nous avons fait jusqu'à présent : nous allons permettre aux tensions aux bornes du transistor de varier dans le temps. Nous déterminerons les courants terminaux résultants, qui incluront désormais une composante de "charge". Nous ferons cela à la fois pour des "vitesses" modérées et pour des "vitesses" très élevées. La réponse transitoire des circuits implique des calculs similaires, mais effectués par ordinateur pour un ensemble de transistors et d'autres dispositifs.

Le matériel de ce module traite de la modélisation des petits signaux et constitue une partie importante de la description du comportement des transistors MOS. Elle établit un lien entre les petites variations de tension aux bornes et les petites variations de courant qui en résultent. La modélisation des petits signaux est essentielle à la conception des circuits analogiques, mais pas seulement ; elle est également utilisée dans la conception des circuits numériques de haute performance (par exemple, dans la conception des amplificateurs de détection de mémoire).

Cet article conclut notre discussion sur la modélisation des petits signaux ; il montre comment nous pouvons modéliser le transistor à des fréquences pour lesquelles le modèle simple que nous avons dérivé la semaine dernière n'est pas valable. Ce type de modélisation est important dans les applications à haute fréquence, par exemple dans la conception d'émetteurs-récepteurs.

L'examen est un livre ouvert, des notes ouvertes, des vidéos ouvertes. Il couvre le matériel des neuf premières semaines de vidéos du cours. Vous n'êtes PAS autorisé à discuter de l'examen, directement ou indirectement, avec qui que ce soit. Toute personne enfreignant cette règle sera exclue du cours. Vous pouvez, bien entendu, signaler les problèmes techniques liés à l'examen et à sa soumission.

Bien que votre connaissance de ce matériel ne soit pas testée lors de l'examen final, nous vous conseillons vivement de le parcourir, car il traite de sujets importants, à savoir le bruit, l'implantation ionique et la non-uniformité du substrat, ainsi que la variabilité statistique ; ces sujets vous aideront à compléter votre compréhension des transistors MOS.